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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大连续漏极电流和650V的漏源耐压，适用于需要高电压承受能力的应用场景。其导通电阻为860mΩ，虽然相对较高，但在某些低频开关或限流保护电路中仍能提供有效的性能。该MOSFET支持高达30V的栅源电压，确保了在不同工作条件下的灵活性和稳定性，是构建高效电源转换器、信号调节电路的理想选择。