-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气特性，最大漏极电流ID为125A，耐压值VDSS达到60V，导通电阻RDON低至2.4mΩ，有效减少了功率损耗。支持的栅源电压VGS范围为±20V，确保了稳定的操作性能。该元件适用于需要高效率转换和控制的电路中，如电源供应、逆变器及各类电子设备中的信号处理与控制环节。