-------<点击了解更多 + 购买>-------

此款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大连续漏极电流和30V的最大漏源电压，适用于多种电路设计中的开关或放大作用。其导通电阻仅为4.3mΩ，保证了高效率的同时降低了发热。该器件还拥有20V的栅源电压，确保了稳定的性能表现。适用于电源管理、电池充电控制以及各种电子设备中的信号处理等应用场景。