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这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有2A的最大漏极电流（ID），适合用于要求不高电流的应用场合。其漏源极击穿电压（VDSS）高达100V，确保了在高电压环境下的可靠工作。导通电阻（RDS(on)）为220mΩ，虽然相对较高，但在低功耗应用中仍能保持良好的效率。该器件支持±20V的栅源极电压（VGS），增强了其在复杂电路中的适应性。此MOSFET可广泛应用于各种电子设备中，如电源转换、信号调节等领域，作为开关或放大元件，能够满足多样化的设计需求。
