-------<点击了解更多 + 购买>-------
此款NN沟道场效应管（MOSFET）拥有6.5A的最大连续漏极电流（ID）及60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于需要良好热稳定性和高效率的应用场合。其导通电阻（RDS(on)）为32mΩ，在保证低功耗的同时，也能提供优秀的开关性能。该MOSFET支持最高20V的栅极驱动电压（VGS），使得它在多种电压环境下都能保持稳定的运行状态。适用于精密电子装置中的电源调节、信号处理等功能。
