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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备3A的最大连续漏极电流（ID/A）和60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDON/mR）仅为72毫欧，确保了高效率和低发热。该MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS/V），适用于多种电路设计中，如电源转换、信号切换等场合，能够满足精密控制和高效能转换的需求。
