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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有2A的最大连续漏极电流（ID/A）和100V的漏源击穿电压（VDSS/V），适用于多种电路设计中的开关或放大功能。其导通电阻（RDON/mR）为220毫欧，在保证高效能的同时，有助于减少发热，提高系统稳定性。该器件支持的工作电压范围宽广，最高可达±20V（VGS/V），确保了在复杂环境下的可靠运行。此款MOSFET凭借其优异的电气性能，适合应用于精密电子设备中，如电源管理、信号处理等场合。
