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此款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的最大连续漏极电流（ID），20V的漏源极击穿电压（VDSS），以及43mΩ的导通电阻（RDS(on)）。其栅源极开启电压（VGS）为12V。这些特性使得该MOSFET适用于需要高效能开关操作的应用中，如电源管理电路、电池充电控制及信号放大等领域。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统效率，同时保证了良好的热稳定性。
