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该N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种低压、低功耗电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧，在确保高效能的同时降低了发热风险。该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）范围为20V，适合用于开关电源、电池管理系统及信号切换等应用中，能够实现快速响应与稳定控制。
