-------<点击了解更多 + 购买>-------
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备5A的最大连续漏极电流（ID/A）与100V的最大漏源电压（VDSS/V），确保了其在高压环境下的稳定性能。该器件拥有110mΩ的导通电阻（RDON/mR），在降低功耗的同时提高了效率。工作电压范围内的栅源电压（VGS/V）为±20V，保证了器件在多种电路配置中的兼容性。适用于电源转换、信号放大及开关控制等应用场景，是高性能电子产品设计的理想选择。
