-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），适合用于低功耗电路的设计中。其导通电阻（RDON）为1500毫欧，即使在小电流应用中也能保持较低的功耗，提升整体效率。该MOSFET支持高达20V的栅源电压（VGS），为不同的应用场景提供了灵活性。此款元件凭借其紧凑的尺寸和优秀的电气性能，特别适用于便携式电子产品和信号处理电路中。
