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这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的最大漏极电流ID，以及240V的漏源极断态电压VDSS，适合应用于需要高电压耐受能力的电路设计中。其导通电阻RDSON为3000mΩ，虽然相对较高，但在低电流应用中仍能保持较低的功率损耗。栅源极电压VGS为20V，保证了良好的驱动性能。该MOSFET适用于各种需要精确控制和高效率转换的电子产品，如便携式设备的电源管理和信号处理电路。