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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的最大连续漏极电流（ID）和50V的漏源极击穿电压（VDSS），适用于多种低至中等功率的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为1100毫欧，有助于减少工作时的能耗，提高转换效率。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），为设计者提供了广泛的操作范围。此MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠性，非常适合用作电源管理、信号切换等电路中的关键组件。
