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这款N沟道场效应管(MOSFET)支持0.2A的连续漏极电流(ID)，具有高达100V的漏源电压(VDSS)耐受能力，适用于高压低电流环境。其导通电阻(RDON)为2800mΩ，在确保电路安全的同时提供可靠的开关功能。栅源电压(VGS)范围达到20V，使其能够良好地适应各种控制信号需求。此MOSFET非常适合用于需要精确控制的小功率应用中，比如小型电源转换器、LED照明控制系统以及各类便携式设备内部的保护电路等场景。
