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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为50V。其导通电阻为1100mΩ，能够在保持较低功耗的同时提供可靠的开关性能。栅源电压阈值为20V，适合于需要精确控制的应用场景。此MOSFET适用于各种小型电子设备、消费电子产品及便携式装置中的电源管理、信号切换等场合，特别是对于空间有限且对效率有一定要求的设计尤为合适。