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本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源管理应用。导通电阻为8mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压（VGS）最大支持20V，确保器件在多种工作条件下稳定运行。该MOSFET常用于电源转换、电池管理、负载开关及高效能电子设备中，提供可靠且高效的功率控制性能。
