IRF630NPBF_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: 电流ID:9A
参数2: 电压VDSS:200V
参数3: RDON:220mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道场效应管支持9A的连续漏极电流(ID),拥有200V的漏源电压(VDSS)耐压能力,导通电阻为220mΩ(RDON),能够在多种电子设备中提供稳定的性能。其栅源电压(VGS)达到20V,适用于需要良好热稳定性和高效率开关操作的应用场合,如电源适配器、LED驱动电路及家用电器控制等领域。

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