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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，其连续漏极电流（ID/A）可达15A。器件设计能够承受高达100V（VDSS/V）的工作电压，适用于需要高压处理的应用场景。栅源阈值电压（VGS/V）为20V，确保了可靠的开启与关闭状态。导通电阻（RDSON/mR）低至100毫欧，有助于降低能耗，提升系统的整体效率。该MOSFET适用于消费电子产品中的电源开关、DC/DC转换器以及需要高效能转换的场合。
