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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续排水电流（ID），可承受高达60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下可以实现良好的导通特性。适用于小电流、高频率的开关应用，如电子玩具、智能家居组件或消费类电子产品中的电源路径控制与信号调节。