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这款N沟道MOSFET提供7A的最大连续排水电流（ID/A），并能承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适合应用于需要高压保护的电路设计中。其导通电阻（RDSON）为1200毫欧（mΩ），虽然较高，但在不需要大电流通过的情况下，仍能有效控制损耗。支持最大±30V的栅源电压（VGS/V），使其能够在各种供电条件下稳定工作。适用于高压直流转换、消费电子设备中的开关电源及电池保护电路等领域。
