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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID/A），可在高达100V的漏源电压（VDSS/V）下正常操作。其导通电阻（RDSON/mR）仅6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下，有效降低了导通时的功耗。该MOSFET适用于消费电子产品中的开关电源、DC/DC转换器及各类负载开关应用，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
