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这款P沟道场效应管（MOSFET）设计有11A的最大持续电流（ID/A），并且能够承受高达30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）为13毫欧，有助于降低工作时的功耗。该MOSFET的栅源电压（VGS/V）为20V，确保了稳定的开启与关闭特性。适用于需要精确电流控制的应用，例如家用电器中的电子调光器或者电池供电设备的负载开关等。
