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该款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于高电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，确保了在高压环境下的可靠性。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，在导通状态下能有效降低能耗。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，提供了可靠的栅极驱动范围。此MOSFET适用于需要高效能电源管理的设备中，如消费电子产品中的电源转换及稳压电路等。