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此款MOSFET为P沟道类型，具有11A的连续漏极电流（ID/A），可承受的最大漏源电压（VDSS）为30V。其导通电阻（RDSON）仅为13毫欧，适用于需要低损耗导通的应用。栅源电压（VGS）最大可达±20V，确保了良好的驱动性能与控制精度。该MOSFET适用于需要高效能、高可靠性开关的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理或消费类电子设备中的信号开关等。
