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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），并在断态下能够承受最高30V的电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能有效降低功耗。此MOSFET适用于便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关应用，能够提供高效的性能表现。
