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这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有0.2A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为1100mΩ，适合低功率应用。栅源电压范围达到20V，确保了与多种控制电路的良好兼容性。适用于小型电子设备、便携式装置以及需要精确控制的小信号处理场景中，是追求稳定性和可靠性的理想选择。