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该款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续漏极电流（ID），可在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω（1300毫欧），并且能在±20V的范围内承受栅源电压（VGS）。此MOSFET适用于设计要求低功耗及高效率的便携式电子产品中，如在电源管理电路、消费类电子产品的小型开关模式电源以及电池保护电路中作为开关元件使用。
