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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备28A的电流处理能力（ID），最大承受漏源电压（VDSS）为500V，适用于多种高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为150毫欧，在确保电路安全的同时，减少了能量损耗。此MOSFET支持最高20V的栅源电压（VGS），是构建高压直流转换器、便携式设备充电电路及其它需要高压隔离的应用的理想选择，提供了可靠的性能表现。
