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这款P沟道MOSFET具备4.2A的漏极电流（ID），适合应用于要求不高且稳定的电流环境中。其最大漏源电压（VDSS）为20V，能够在常见的低压系统中提供可靠的性能。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少工作时的功率损耗。栅源电压（VGS）的最大值为12V，提供了足够的裕量以确保在不同驱动条件下都能安全工作。适用于消费电子产品中的电源开关、电池保护电路以及小型设备中的信号级应用。
