HUF76429D3ST_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流ID:30A
参数2: 电压VDSS:60V
参数3: RDON:22mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道场效应管(MOSFET)支持高达30A的连续排水电流(ID),并且能够在60V的漏源电压(VDSS)条件下正常工作。其导通电阻(RDSON)低至22毫欧,在20V的栅源电压(VGS)控制下展现出良好的导电性能。该MOSFET适用于多种消费电子产品的设计,如适配器、充电器等场合的高效电源管理,以及需要低损耗切换的应用,确保了电路在高频操作下的稳定性和效率。

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