Si2308DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流ID:3A
参数2: 电压VDSS:60V
参数3: RDON:72mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流,能够承受最高达60V的漏源电压。其导通电阻为72毫欧姆,保证了良好的电流传输效率。栅源电压范围为20V,适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能,成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。

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