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这款场效应管（MOSFET）属于NP沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为7.2A，能够承受的最大漏源电压（VDSS/V）为40V。在导通状态下的电压降非常低，表现为导通电阻（RDSON/mΩ）仅为23毫欧姆，在确保高效能的同时降低了功耗。此MOSFET的栅极与源极之间的电压（VGS/V）可以达到±20V，提供了良好的控制性能。适用于需要高效率和快速开关的应用中，如消费类电子产品中的电源管理、便携式设备的电源转换及保护电路等。
