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这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续漏极电流（ID/A），并且能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧（mR），有助于减少功率损耗，提高效率。该MOSFET适用于在最大20V的栅源电压（VGS/V）条件下运行，是设计需要高效能及可靠性的开关电源、LED照明驱动以及消费电子产品的理想选择。
