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这款P沟道场效应管（MOSFET）具有12A的连续漏极电流（ID/A），能够承受最高30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为10毫欧（mR），适用于要求高效能的应用中。此元件可在栅源电压（VGS/V）不超过20V的情况下正常工作，适合用于需要精密控制与高效转换的电路设计中，如便携式电子产品或消费类电源管理模块。
