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该N沟道场效应管（MOSFET）拥有2.3A的连续排水电流（ID/A），最大可承受20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧，在栅源电压（VGS/V）达到12V时能有效工作。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如适配器内的开关电路，以及电池供电的小型设备中的电流调节与保护环节，确保电路稳定运行。
