-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的连续排水电流（ID），能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作，确保了其在高电压应用中的可靠性。该器件具备1300毫欧的导通电阻（RDSON），这有助于减少导通状态下的功率损耗。最大栅源电压（VGS）为±20V，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于需要精确电流控制与高效率能量转换的电路设计中，如便携式电子产品或消费类电源管理解决方案等。
