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这款N沟道MOSFET具有7A的连续漏极电流能力，能够支持中等功率的应用。其最大漏源电压为650V，适用于需要较高电压隔离的电路设计。导通电阻仅为1200毫欧姆，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压范围达到30V，确保了良好的驱动兼容性。此款场效应管适合应用于家用电器、电源转换器以及各种电子设备中，提供可靠的开关控制和高效能表现。