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该N沟道场效应管(MOSFET)具备10A的连续漏极电流能力，支持高达650V的漏源电压。其导通电阻为860毫欧姆，栅源电压范围可达30V。这款MOSFET设计用于需要高电压处理能力和良好热性能的应用场景，如开关电源、逆变器以及高效能电子设备中。凭借其出色的电气特性，它能够在保证系统效率的同时，提供可靠的长期工作表现。