-------<点击了解更多 + 购买>-------

该款碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续电流（ID）承载能力，以及高达1200V的断态电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于降低能耗，提升系统效率。此器件为N沟道类型，设计有18V的最大栅源电压（VGS），支持高效稳定的开关操作。适用于需要高性能电力转换的应用中，如精密电源管理和逆变技术领域，能够提供可靠的电力控制解决方案。