-------<点击了解更多 + 购买>-------
该款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道设计，其最大工作电流（ID/A）可达32A，适用于多种电子电路中的电流控制。器件拥有1200V的最大漏源电压（VDSS/V），适用于需要高耐压的应用场景。导通状态下，其漏源电阻（RDSON/mR）为75毫欧，有效降低了导通时的功耗。栅源电压（VGS/V）为±15V，便于实现精确的驱动控制。此MOSFET适用于构建高效的开关电源转换器和其他注重高性能与可靠性的电子产品。
