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此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大导通电流（ID/A）为63A，能够承受高达1200V的最大漏源电压（VDSS/V）。导通电阻（RDSON/mR）仅为32毫欧姆，在确保高效能的同时，减少了功率损耗。栅源电压（VGS/V）额定值为15V，表明其适用于需要快速开关的应用。作为N沟道类型，该器件能够在正向电压下导通，适用于要求严苛的高频开关电源以及其他需要高性能、高可靠性的电子设备中。
