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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有120A的电流处理能力（ID/A），并能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为15毫欧，有助于减少导通状态下的功率损失。该MOSFET设计支持最高15V的栅源电压（VGS/V），适用于需要快速开关和高效率的应用领域，例如高性能的电源供应单元或者复杂的电力调节模块等场合。
