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此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备N沟道结构，最大工作电流ID/A达到5A，能够承受的最大漏源电压VDSS/V为1700V。导通电阻RDSON/mΩ为1000毫欧，确保了在导通状态下的损耗较低。栅源电压VGS/V的最大绝对值为20V，适用于要求高耐压和高效能的电路设计中，特别是在需要高频开关操作的应用场景下，该MOSFET可以提供优越的性能表现。其材料特性赋予了更好的热稳定性和耐用性，适合用于要求严苛的电力转换系统。