IMZ120R090M1H_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247H-4L
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:36A
参数2: 电压VDSS:1200V
参数3: RDON:80mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款碳化硅场效应管(MOSFET)拥有36A的连续电流(ID)处理能力,同时具备1200V的断态电压(VDSS),适用于高电压应用环境。其导通电阻(RDSON)为80毫欧,有效降低了导通状态下的能量损耗。作为一款N沟道类型器件,它支持最高20V的栅源电压(VGS),确保了在各种应用中的可靠性和快速切换性能。此MOSFET适用于高频开关电源、逆变技术和电力调节模块等领域的电力转换需求。

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