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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具备出色的电气性能。其连续漏极电流ID可达35A，在650V的断态漏源电压VDSS下稳定工作，确保了高电压应用环境下的可靠性。导通电阻RDON低至45毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压VGS的工作范围为-5至@0伏特，提供了较大的操作灵活性。该器件适用于多种高要求的电力转换和管理场景，能够支持设计者实现更紧凑、高效的电路解决方案。