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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有36A的连续电流ID/A，适用于多种电力转换设计。其额定漏源电压VDSS/V为1200V，适合用于高电压环境中。导通电阻RDON为80毫欧，有助于减少能耗。栅源电压VGS/V的绝对值可达20V，保证了良好的驱动兼容性和稳定性。此款MOSFET适用于高性能的开关电源、不间断电源系统以及电力调节模块等场合，提供高效且可靠的解决方案。