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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流ID/A可达6A，能够承受的最大漏源电压VDSS/V为1700V。导通电阻RDSON/mΩ为700毫欧，在栅源电压VGS/V范围内可操作，该范围从-4V至!8V。此MOSFET适用于要求高效率与可靠性的电路设计中，如电源转换及高频开关应用领域，能够在严苛的工作环境下保持稳定性能，提供出色的电气特性。