-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，适用于需要高效能的应用场景。其最大漏源电压VDSS/V为1200V，提供稳定的高压操作保障。该器件的导通电阻RDON为32毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。栅源电压VGS/V为±15V，确保了精确的控制信号传输。此MOSFET适用于高频开关电源、可再生能源转换装置等领域，能够在严苛环境下保持良好的工作性能。