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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续电流ID/A达到120A，能够承受的最大漏源电压VDSS/V为650V。该器件的导通电阻RDON仅为15毫欧（mΩ），有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效率和可靠性的电力转换系统中。