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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，设计工作电流（ID/A）可达32A，最大承受漏源电压（VDSS/V）为1200V。其导通电阻（RDSON/mΩ）仅为75毫欧，这有助于减少导通状态下的能量损耗。栅源电压（VGS/V）阈值为15V，确保了开关操作的可靠性。此款MOSFET适用于要求高效率与耐用性的电路设计中，特别是在需要高压和大电流处理能力的应用场景下，能提供出色的性能表现。
